1N5822 SS34 Montage en surface Schottky Barrière Redresseur Diode 3.0A 40V
Redresseur de barrière Schottky à montage en surface SS34
,redresseur de barrière Schottky à montage en surface 1N5822
,diode de redresseur de barrière 3.0A 40V
1N5822 SS34 Schottky Barrière Redresseur 3.0A 40V adapté pour une utilisation comme redresseurs dans les onduleurs basse tension haute fréquence
Le redresseur Schottky utilise le principe de la barrière Schottky dans une diode de puissance métal-silicium à grande surface.
La géométrie de pointe du redresseur Schottky comprend un métal à barrière de chrome, une construction épitaxiale avec passivation à l'oxyde
et contact de chevauchement métallique.
Il convient parfaitement pour une utilisation en tant que redresseurs dans les onduleurs basse tension et haute fréquence, les diodes de roue libre et les diodes de protection de polarité.
Caractéristiques
• VF extrêmement faible
• Faible perte de puissance/rendement élevé
• Faible charge stockée, conduction majoritaire des porteursMécanique
Caractéristiques:
• Boîtier : époxy, moulé •
Poids : 1,1 gramme (environ)
• Finition : toutes les surfaces externes sont résistantes à la corrosion et les bornes sont facilement soudables
• Température du plomb à des fins de soudage : 260 °C max.pendant 10 secondes
• Expédié dans des sacs en plastique, 5 000 par sac
• Bandes et bobines disponibles,
1500 par bobine, en ajoutant un suffixe "RL" au numéro de pièce
• Polarité : cathode indiquée par la bande de polarité
Spécification :
Catégorie
|
Produits semi-conducteurs discrets
|
Diodes - Redresseurs - Simple
|
|
Séries
|
-
|
Paquet
|
Bande et Boîte
|
Statut de la pièce
|
actif
|
Type de diode
|
Schottky
|
Tension - CC inverse (Vr) (Max)
|
40V
|
Courant - Moyenne redressée (Io)
|
3A
|
Tension - Avant (Vf) (Max) @ If
|
525 mV à 3 A
|
Vitesse
|
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io)
|
Courant - Fuite inverse @ Vr
|
2 mA à 40 V
|
Capacité @ Vr, F
|
-
|
Type de montage
|
À travers le trou
|
Paquet/caisse
|
DO-201AD, axiale
|
Ensemble d'appareils du fournisseur
|
DO-201AD
|
Température de fonctionnement - Jonction
|
150°C (maximum)
|
Numéro de produit de base
|
1N5822
|
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CARACTÉRISTIQUES
* Puce passivée au verre
* Décharge de traction intégrée
* Faible inductance
* Dissipation de puissance inverse de crête élevée
* Faible fuite inverse
* Classement ESD de classe 3 (> 20 kV) par modèle de corps humain
Angel-Tech fournit des diodes de commutation, des diodes zener, des redresseurs à barrière Schottky, des redresseurs en pont, des téléviseurs, des dispositifs de protection ESD, des transistors bipolaires, des MOSFET, des thyristors, etc., tous conformes aux normes RoHS et REACH.Notre usine certifiée compte plus de 500 employés capables de produire 1,5 milliard de composants semi-conducteurs fiables et constants par an. Notre société, dotée des équipements les plus avancés et de la gestion des systèmes ERP, s'engage à établir une bonne image de marché. L'usine a passé la certification de qualité ISO9001, la gestion environnementale ISO14001 certification du système.Tous les produits ont passé les tests SGS, ROHS et REACH 1907/2010/EC 48.Grâce à l'amélioration continue de la qualité des produits et au support technique après-vente professionnel, nous avons gagné la confiance des clients dans la marque de l'entreprise.Nos produits sont largement utilisés dans PC POWER, l'éclairage vert, les décodeurs, les produits numériques, l'automobile, le contrôle industriel, les équipements de communication et d'autres domaines, qui servent les clients de fabricants nationaux et étrangers bien connus."Rechercher la nouveauté, le raffinement et la nouveauté" est traité comme notre politique environnementale de qualité.Nous avons bonne foi et crédibilité dans nos produits.Après des années de développement, nos produits ont été reconnus et loués par le marché.Nous poursuivrons l'innovation technologique pour créer de la valeur pour nos clients.À l'avenir, notre société se consacrera au développement du développement de l'industrie du marché de l'électronique des semi-conducteurs, en réponse aux défis mondiaux plus rapides de l'industrie électronique.